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Bourns SRP5030T SMD Induktivität, 1,2 μH 6.5A Mit Eisenpulver-Kern, 5030 Gehäuse 5.7mm / ±20%

About The : 16mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.5A mit Eisenpulver-Kern, 5030 Gehäuse 5

Bourns SRP5030T SMD Induktivität, 1,2 μH 6.5A mit Eisenpulver-Kern, 5030 Gehäuse 5.7mm / ±20%, Tiefe: 5.2mm, Höhe: 2.8mm, Abmessungen: 5.7 x 5.2 x 2.8mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 16mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: SRP5030T-1R2M

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Bourns SRP5030T SMD Induktivität, 1,2 μH 6.5A Mit Eisenpulver-Kern, 5030 Gehäuse 5.7mm / ±20%

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Specifications of Bourns SRP5030T SMD Induktivität, 1,2 μH 6.5A Mit Eisenpulver-Kern, 5030 Gehäuse 5.7mm / ±20%

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