Infineon HEXFET IRF6216TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 240 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
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Infineon HEXFET IRF6216TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon HEXFET IRF6216TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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