Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Infineon, Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand Max.: 200 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 4V, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRF520NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: ABDT-448768
Price: 4.62 EUR
Availability: InStock

About The 67mm, MPN: IRF520NSTRLPBF.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRF520NSTRLPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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HARTING Han-Modular Dichtung, MPN: 09140009940

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Last Updated January 14th, 2025 06:55 pm

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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