Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0017 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.1V, MPN: IPB017N10N5LFATMA1
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7 | |
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