Infineon IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
About The : ±20 V, ±30V, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 30kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 16.Infineon IGBT / 80 A ±20V max
Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, ±30V, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 30kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Nennleistung: 3.35mJ, Gate-Kapazität: 4500pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IKW75N65ES5XKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
Infineon IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
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Specifications of Infineon IGBT / 80 A ±20V Max., 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal | |
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