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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8

About The : 4V, MPN: IPL60R365P7AUMA1.: 0,365 Ω, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,365 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: IPL60R365P7AUMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8

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Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8

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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8
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Murrelektronik Limited T-Coded Netzkabel 4-adrig, Buchse gerade / offenes Ende, Länge 10m, Leiterquerschnitt: 1,5 mm², Mantelfarbe: Schwarz, Mantelmaterial: PUR, Steckverbinder 1: M12, Geschirmt / Ungeschirmt: Ungeschirmt, Nennstrom: 12 A, Betriebsspannung: 63 V ac/dc, MPN: 7000-P7221-P071000
    • Murrelektronik Limited T-Coded Netzkabel 4-adrig, Buchse gerade / offenes Ende, Länge 5m, Leiterquerschnitt: 1,5 mm², Mantelfarbe: Schwarz, Mantelmaterial: PUR, Steckverbinder 1: M12, Geschirmt / Ungeschirmt: Ungeschirmt, Nennstrom: 12 A, Betriebsspannung: 63 V ac/dc, MPN: 7000-P7221-P070500
    • Siemens SITRANS P G1/2 Drucksensor 0.63bar bis 63bar, 4 → 20 mA, für Öl, Flüssigkeit, Gase, Dämpfe, Druckanzeigen-Typ: Druckanzeige, Genauigkeit: ± 0,075 %, Schnittstelle: HART, IP Schutzart: IP65, IP68, MPN: 7MF8023-1EA04-1AA6
    • Schneider Electric TeSys D LC2D Leistungsschütz 24 V dc-Spule, 3 -polig, 690 V ac / 9 A 3 Schließer Umkehrend, Konfiguration von Hilfskontakten: 1NO + 1NC, Anschlusstyp: Schraubanschluss, Länge: 77mm, Breite: 90mm, Tiefe: 95mm, Better World-Produkt: Ja, MPN: LC2D09BLV
    • Phoenix Contact M23 PRO M23 Rundsteckverbinder Buchse 6-polig / 20.0A Kabelmontage, Crimpanschluss IP66, IP68, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 300,0 V, Gehäusematerial: Zink, Kontakt-Format: 6P, MPN: 1629184
    • Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, MPN: IPN80R1K4P7ATMA1
    • Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,365 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: IPL60R365P7AUMA1
    • Gems Sensors FT-110 Flüssigkeit Durchflusssensor 5 → 24 V dc 1 l/min. → 25 l/min Typ Rotor

    Gems Sensors FT-110 Flüssigkeit Durchflusssensor 5 → 24 V dc 1 l/min. → 25 l/min Typ Rotor

    Gems Sensors FT-110 Flüssigkeit Durchflusssensor 5 → 24 V dc 1 l/min.7bar, Material: Nylon 12, Betriebstemperatur min.): 13.

    • Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,365 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: IPL60R365P7AUMA1
    • Gems Sensors FT-110 Flüssigkeit Durchflusssensor 5 → 24 V dc 1 l/min. → 25 l/min Typ Rotor

    Gems Sensors FT-110 Flüssigkeit Durchflusssensor 5 → 24 V dc 1 l/min. → 25 l/min Typ Rotor

    7bar, Material: Nylon 12, Betriebstemperatur min.Gems Sensors FT-110 Flüssigkeit Durchflusssensor 5 → 24 V dc 1 l/min.: +100°C, Nennstrom: 8 mA, MPN: 173935-C.: -20°C, Betriebstemperatur max.