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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 2V, MPN: IRL520NSTRLPBF.: 0,18 Ω, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,18 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, MPN: IRL520NSTRLPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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