Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 9V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SPD06N80C3ATMA1.: 0,9 Ω, Gate-Schwellenspannung max
Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,9 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SPD06N80C3ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
