Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 600 MA 20V 8-Pin SOIC 90ns

Name: Infineon - Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 600 MA 20V 8-Pin SOIC 90ns, MPN: IRS2007STRPBF
Brand: Infineon
SKU: ABDT-47828
Price: 876.00 EUR
Availability: InStock

About The Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 600 mA 20V 8-Pin SOIC 90ns, MPN: IRS2007STRPBF

Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 600 mA 20V 8-Pin SOIC 90ns, MPN: IRS2007STRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Gate-Treiber

Abracon SMD Induktivität, 4,7 μH 5.5A 7.2mm, Tiefe: 3mm, MPN: ASPI-0630LR-4R7M-T15

Murata Power Solutions Murata NKE DC/DC-Wandler 1W 5 V dc IN, 3.3V dc OUT / 300mA Durchsteckmontage 3kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 3.3V dc, Eingangsspannung: 4,5 → 5,5 V dc, Isoliert: Ja, Gehäuse: SIP, Isolationsspannung: 3kV dc, Tiefe: 7.46mm, Länge: 11.48mm, Temperatur max.: +85°C, Temperatur min.: -40°C, MPN: NKE0503SC

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Gate-Treiber

Specifications of Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 600 MA 20V 8-Pin SOIC 90ns
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Last Updated January 10th, 2025 05:06 am

Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 600 MA 20V 8-Pin SOIC 90ns

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Samtec SLW Leiterplattenbuchse Gerade 14-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Typ: Flache Buchsenleiste, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 5.2A, Betriebsspannung: 406 V, Kontaktmaterial: Bronze, Kontaktbeschichtung: Zinn, MPN: SLW-114-01-T-S

54mm.Samtec SLW Leiterplattenbuchse Gerade 14-polig / 1-reihig, Raster 2.

Standex-Meder Dauermagnet zur Verwendung mit Reed-Sensor, Distrelec Product Id: 13756653, MPN: M04

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Bourns CRM Dickschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRM2512-JW-104ELF

Bourns CRM Dickschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse.

Murata Power Solutions Murata NKE DC/DC-Wandler 1W 5 V dc IN, 3.3V dc OUT / 300mA Durchsteckmontage 3kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 3.3V dc, Eingangsspannung: 4,5 → 5,5 V dc, Isoliert: Ja, Gehäuse: SIP, Isolationsspannung: 3kV dc, Tiefe: 7.46mm, Länge: 11.48mm, Temperatur max.: +85°C, Temperatur min.: -40°C, MPN: NKE0503SC

3V dc OUT / 300mA Durchsteckmontage 3kV dc isoliert.Murata Power Solutions Murata NKE DC/DC-Wandler 1W 5 V dc IN, 3.

Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 600 MA 20V 8-Pin SOIC 90ns

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