Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 73mm, Betriebstemperatur max.: 3,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 3,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IPD025N06NATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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