Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 29 A, 3-Pin D2PAK

Name: Infineon - Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 29 A, 3-Pin D2PAK, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFZ34NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: ABDT-49174
Price: 3.59 EUR
Availability: InStock

About The Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 29 A, 3-Pin D2PAK, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFZ34NSTRLPBF

Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 29 A, 3-Pin D2PAK, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFZ34NSTRLPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Carling Technologies Carling Tafelmontage Wippschalter, 2-poliger Ein/Ausschalter Rastend, 20 A 28.58mm x 25.4mm, Kontaktanordnung: DPST, Beleuchtet: Nein, Betätigerfarbe: Schwarz, Anschlussart: Schnellverbindung, AC-Nennspannung: 125V, Betätigungselementform: Rechteckig, Tafelausschnitt Größe: 25.4 x 28.58mm, Gehäusematerial: Nylon, Kontaktmaterial: Silber, Betriebstemperatur max.: +85°C, MPN: RGSCC211-R-B-B-0

32 mm, Grau, IP54, Eingebautes Batteriefach: Ja, Gewicht: 80g, Anzeigefenster: Nein, Abmessungen (Außen): 117.2 x 79 x 32mm, Besondere Merkmale: Integriertes Batteriefach für 2 x AA, Innenmontagetyp: Leiterplatten-Montagezapfen, MPN: 1553CGYBAT

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 29 A, 3-Pin D2PAK
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Last Updated January 8th, 2025 10:32 am

Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 29 A, 3-Pin D2PAK

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Hammond Enclosure, Industrial; Steel (14 ga.); 17.5 in.; 14 in.; 7.64 in., MPN: 1414PHO8

.; 14 in.Hammond Enclosure, Industrial; Steel (14 ga.5 in.

TE Connectivity FASTON .250 Flachsteckhülse, Unisoliert, 7.62 x 0.46mm, Buchse, 1.3mm² - 3mm², 16AWG min, Maximale Drahtgröße (AWG): 12AWG, Anschlussart: Crimp, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Gesamtlänge: 20.93mm, MPN: 41728

3mm² - 3mm², 16AWG min.

TE Connectivity Rundsteckverbinderkontakt Buchse Größe 20 / 7.5A, für Crimp, 20 AWG, Kontaktbeschichtung: Gold, Montagetyp: Kabelmontage, MPN: 38943-20L

5A, für Crimp, 20 AWG.TE Connectivity Rundsteckverbinderkontakt Buchse Größe 20 / 7.

Wurth Elektronik WE-CAIR Luftspule, 2,5 nH 4A, 3136 Gehäuse 3.68mm / ±5%, 12.5GHz, Tiefe: 3.05mm, Höhe: 3.18mm, Abmessungen: 3.68 x 3.05 x 3.18mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 1.1mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 744913025

68mm / ±5%, 12.5GHz.Wurth Elektronik WE-CAIR Luftspule, 2,5 nH 4A, 3136 Gehäuse 3.

Wurth Elektronik WE-CAIR Luftspule, 2,5 nH 4A, 3136 Gehäuse 3.68mm / ±5%, 12.5GHz, Tiefe: 3.05mm, Höhe: 3.18mm, Abmessungen: 3.68 x 3.05 x 3.18mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 1.1mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 744913025

5GHz.68mm / ±5%, 12.Wurth Elektronik WE-CAIR Luftspule, 2,5 nH 4A, 3136 Gehäuse 3.

Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 29 A, 3-Pin D2PAK

About The Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 29 A, 3-Pin D2PAK, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFZ34NSTRLPBF

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Hammond Enclosure, Industrial; Steel (14 ga.); 17.5 in.; 14 in.; 7.64 in., MPN: 1414PHO8

TE Connectivity FASTON .250 Flachsteckhülse, Unisoliert, 7.62 x 0.46mm, Buchse, 1.3mm² - 3mm², 16AWG min, Maximale Drahtgröße (AWG): 12AWG, Anschlussart: Crimp, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Gesamtlänge: 20.93mm, MPN: 41728

TE Connectivity Rundsteckverbinderkontakt Buchse Größe 20 / 7.5A, für Crimp, 20 AWG, Kontaktbeschichtung: Gold, Montagetyp: Kabelmontage, MPN: 38943-20L