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Vishay SUM50020E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 8-Pin D2PAK (TO-263)

About The : -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Vishay SUM50020E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 8-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.5V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SUM50020E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 8-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Vishay SUM50020E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 8-Pin D2PAK (TO-263)

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