STMicroelectronics STripFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC
About The .: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
STMicroelectronics STripFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -15 V, +15 V, Länge: 5mm, MPN: STS4DNF60L
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics STripFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of STMicroelectronics STripFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC | |
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