STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 95 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 4.6mm, MPN: STB38N65M5
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STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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