Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 280 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 6 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: BSP129H6906XTSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 280 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 280 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
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