Infineon IPB P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0024 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPB180P04P4L02ATMA2
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Infineon IPB P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7
Specifications of Infineon IPB P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7 | |
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