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Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 650mA, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 25MHz

About The Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 650mA, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 25MHz, Qualitätsfaktor min.: 35, Gleichstromwiderstand max

Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 650mA, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 25MHz, Qualitätsfaktor min.: 35, Gleichstromwiderstand max.: 500mΩ, Abmessungen: 2 x 1.25 x 1.25mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 74479777310

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 650mA, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 25MHz

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Specifications of Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 650mA, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 25MHz

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