Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 96 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0111 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: IPT111N20NFDATMA1
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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 96 A, 8-Pin HSOF-8
Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 96 A, 8-Pin HSOF-8 | |
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