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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 3,8 W, 5-Pin DFN

About The : ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: NTMFS6H818NT1G

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 3,8 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: NTMFS6H818NT1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 3,8 W, 5-Pin DFN

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 3,8 W, 5-Pin DFN

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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 3,8 W, 5-Pin DFN
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Amphenol Industrial, MS-E MIL-Rundsteckverbinder, Stecker, 4-polig, 700 V, Gehäuse 22, MIL-DTL-5015, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Nennstrom: 46A, Verbindungstyp: Schnellkupplung mit Gewinde, Gehäuseausrichtung: Gerade, MPN: MS3102E22-22S
    • RS PRO Verbindungskomponente, Vierfach-Verbinder, Steckverbinderhalterung und Gelenk passend für Typ 3, Passend für Rohrdurchmesser: 48.3mm, Material: Gusseisen, Produktfamilie: RS Handlaufsystem, Produkt-System: 158
    • SKF Kurvenrolle, Wellen-Ø 24mm x 14mm, 5280N, Typ: Gabel, Bohrungsgröße: 8mm, Statische Traglast: 6100N, MPN: NATR 8 PP
    • Schneider Electric BMX Ausgangsmodul / 16 x X80 Triac Ausgang 24 → 240 V, MPN: BMXDAO1615

    Schneider Electric BMX Ausgangsmodul / 16 x X80 Triac Ausgang 24 → 240 V, MPN: BMXDAO1615

    Schneider Electric BMX Ausgangsmodul / 16 x X80 Triac Ausgang 24 → 240 V.

    • Amphenol Industrial, MS-E MIL-Rundsteckverbinder, Stecker, 8-polig, 1250/700 V, Gehäuse 22, MIL-DTL-5015, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Nennstrom: 23A, Verbindungstyp: Schnellkupplung mit Gewinde, Gehäuseausrichtung: Gerade, MPN: MS3102E22-23P
    • Infineon SCR Thyristor 4040A BG-T12026K-1 1800V 57000A 6.35kA, Gate-Triggerstrom max.: 250mA, Durchlassspannung-Spitzenwert: 1.28V, MPN: T3841N18TOFVTXPSA1
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 3,8 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: NTMFS6H818NT1G
    • Infineon IMI111T-026H Device Entwicklungsbausatz Spannungsregler, EVAL-IMI111T-026 IGBT, Zum Einsatz mit: IMI111T iMOTION IPMs, Kit-Klassifizierung: Motorsteuerungsplatine, MPN: EVALIMI111T026TOBO1
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 3,8 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: NTMFS6H818NT1G
    • Infineon IMI111T-026H Device Entwicklungsbausatz Spannungsregler, EVAL-IMI111T-026 IGBT, Zum Einsatz mit: IMI111T iMOTION IPMs, Kit-Klassifizierung: Motorsteuerungsplatine, MPN: EVALIMI111T026TOBO1