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Nexperia TVS-Diode Uni-Directional Gemeinsame Anode 39V 14.2V Min., 3-Pin, SMD 12V Max SOT-23 (TO-236AB)

About The Nexperia TVS-Diode Uni-Directional Gemeinsame Anode 39V 14.: +150 °C, MPN: PESD12VU1UT,215

Nexperia TVS-Diode Uni-Directional Gemeinsame Anode 39V 14.2V min., 3-Pin, SMD 12V max SOT-23 (TO-236AB), Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 200W, Impulsspitzen-Strom max.: 5A, ESD Schutz: Ja, Betriebstemperatur min.: -65 °C, Abmessungen: 3 x 1.4 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: PESD12VU1UT,215

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Suppressordioden TVS

Nexperia TVS-Diode Uni-Directional Gemeinsame Anode 39V 14.2V Min., 3-Pin, SMD 12V Max SOT-23 (TO-236AB)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Suppressordioden TVS

Specifications of Nexperia TVS-Diode Uni-Directional Gemeinsame Anode 39V 14.2V Min., 3-Pin, SMD 12V Max SOT-23 (TO-236AB)

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Nexperia TVS-Diode Uni-Directional Gemeinsame Anode 39V 14.2V Min., 3-Pin, SMD 12V Max SOT-23 (TO-236AB)
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Samtec PTT Stiftleiste Gerade, 10-polig / 2-reihig, Raster 2.0mm, Nicht ummantelt, MPN: PTT-105-01-L-D

Samtec PTT Stiftleiste Gerade, 10-polig / 2-reihig, Raster 2.0mm, Nicht ummantelt, MPN: PTT-105-01-L-D

0mm, Nicht ummantelt.Samtec PTT Stiftleiste Gerade, 10-polig / 2-reihig, Raster 2.

    • Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k, 16bit / Wort, TSOP 44-Pin, Organisation: 64 k x 16 Bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.51 x 10.26 x 1.04mm, Arbeitsspannnung max.: 3,6 V, Länge: 18.51mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Arbeitsspannnung min.: 3 V, MPN: CY7C1021DV33-10ZSXIT
    • BETA 6 mm Schraubbit, Biteinsatz, Kopftyp: Sechskant, MPN: 861PE 6
    • TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 12.4kΩ ±0.1% / 0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: RN73C2A12K4B
    • TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 12.4kΩ ±0.1% / 0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: RN73C2A12K4B