reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

STMicroelectronics 2STF2360 SMD, PNP Transistor –60 V / 3 A, SOT-89 3-Pin

About The STMicroelectronics 2STF2360 SMD, PNP Transistor –60 V / 3 A, SOT-89 3-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 1

STMicroelectronics 2STF2360 SMD, PNP Transistor –60 V / 3 A, SOT-89 3-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

STMicroelectronics 2STF2360 SMD, PNP Transistor –60 V / 3 A, SOT-89 3-Pin

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Specifications of STMicroelectronics 2STF2360 SMD, PNP Transistor –60 V / 3 A, SOT-89 3-Pin

Category
Instockinstock

Last Updated

STMicroelectronics 2STF2360 SMD, PNP Transistor –60 V / 3 A, SOT-89 3-Pin
More Varieties

Rating :- 9.71 /10
Votes :- 38
onsemi BC858BLT1G SMD, PNP Transistor –30 V / -100 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 220, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Schneider Electric TeSys Steuermodul für Giga-Schütz 0.020 → 0.035s, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: LX1G4QBEEA
    • Ledil Emily LED Linse Rund 34 → 45°, Ø 26mm x 14.9mm, für Cree XM-L, Cree XM-L2, Cree XP-E, Cree XP-E2, Cree, Produkt Typ: LED-Linse, Abstrahlprofil: Weitwinkel, Montageart: Stift, Band, Zur Verwendung mit: Cree XM-L, Cree XM-L2, Cree XP-E, Cree XP-E2, Cree XP-G, Cree XP-G2, Cree XP-L, Cree XT-E, Lumileds LUXEON A, Lumileds LUXEON Rebel, Nichia NCSxx19A, Nichia NCSxx19B, Nichia NS9x383, Nichia NVSxx19A, OSRAM OSLON Square, OSRAM OSLON SSL 150, OSRAM OSLON SSL 80, Samsung LH351B, Samsung LH351Z, Seoul Z5 Sharp Double Dome, Abmessungen: 26 (Dia.) x 14.9mm, Klar oder diffus: Klar, Set beinhaltet: Linse, Montage, MPN: CA11934_EMILY-W
    • STMicroelectronics ST N-Kanal, THT MOSFET-Modul 600 V / 52 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,045 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: STWA67N60M6
    • STMicroelectronics ST N-Kanal, THT MOSFET-Modul 600 V / 52 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,045 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: STWA67N60M6