Microchip 2N6661 N-Kanal, THT MOSFET 90 V / 350 mA 6,25 W, 3-Pin TO-39, Drain-Source-Widerstand max.: 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Microchip 2N6661 N-Kanal, THT MOSFET 90 V / 350 MA 6,25 W, 3-Pin TO-39
Specifications of Microchip 2N6661 N-Kanal, THT MOSFET 90 V / 350 MA 6,25 W, 3-Pin TO-39 | |
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