onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 116 A 113,6 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.: 7,5 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, MPN: FDMS4D5N08LC
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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 116 A 113,6 W, 8-Pin PQFN8
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 116 A 113,6 W, 8-Pin PQFN8 | |
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