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Onsemi SMMBT3904LT1G SMD, NPN Transistor 40 V / 200 MA 100 MHz, SOT-23 3-Pin

About The : 6 V, Abmessungen: 3.04 x 1

onsemi SMMBT3904LT1G SMD, NPN Transistor 40 V / 200 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 225 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 60 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 0,3 V dc

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Onsemi SMMBT3904LT1G SMD, NPN Transistor 40 V / 200 MA 100 MHz, SOT-23 3-Pin

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Specifications of Onsemi SMMBT3904LT1G SMD, NPN Transistor 40 V / 200 MA 100 MHz, SOT-23 3-Pin

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Onsemi SMMBT3904LT1G SMD, NPN Transistor 40 V / 200 MA 100 MHz, SOT-23 3-Pin
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Broadcom ASSR-V62X SMD Halbleiterrelais Direkt / 15 μA, Montage Typ: Oberflächenmontage, Steuerspannung min.: 0 V, Steuerspannung max.: 0,8 V, Anschluss Typ: 8-polig, Ausgangsschaltung: MOSFET, Gehäuseform: DIP, Einschaltzeit max.: 0,28 ms, Abmessungen: 9.65 x 6.35 x 3.56mm, Steuerspannungsbereich: 0 → 0,8 V, Tiefe: 6.35mm, Länge: 9.65mm, Betriebstemperaturbereich: -40 → +85°C, MPN: ASSR-V621-302E
    • Brady Etikette auf Rolle x 76.2mm für BBP33, i3300, 500Pro Rolle auf Silber, Etikettenhöhe: 50.8mm, Schutzlackiert: Nein, Aufkleber-Abmessungen: 50.8 x 76.2mm, Etikettenmenge: 500 Per Roll, MPN: B33-19-434
    • Hirose EnerBee DF33C Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 3-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für Interne Stromquelle, Gender: Female, Länge: 11.1mm, Breite: 15.1mm, Gehäusematerial: PBT, MPN: DF33C-3S-3.3C
    • RS PRO O-Ring EPDM, Innen-Ø 3.5mm / Außen-Ø 5.5mm, Stärke 1mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +120°C
    • Phoenix Contact Polycarbonat Blindplatte, 62mm x 163mm, Serie: ECS, Höhe: 30mm, MPN: 1050382
    • RS PRO O-Ring EPDM, Innen-Ø 2mm / Außen-Ø 5mm, Stärke 1.5mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +120°C
    • onsemi SMMBT3904LT1G SMD, NPN Transistor 40 V / 200 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 225 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 60 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 0,3 V dc
    • onsemi SMMBT4401LT1G SMD, NPN Transistor 40 V / 600 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 225 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 60 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 0,75 V dc
    • onsemi SMMBT3904LT1G SMD, NPN Transistor 40 V / 200 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 225 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 60 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 0,3 V dc
    • onsemi SMMBT4401LT1G SMD, NPN Transistor 40 V / 600 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 225 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 60 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 0,75 V dc