EPCOS B82462-G4 SMD Induktivität, 100 μH 530mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern 6.3mm / ±20%, 8MHz
About The : 580mΩ, Resonanzfrequenz max.5MHz, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max
EPCOS B82462-G4 SMD Induktivität, 100 μH 530mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern 6.3mm / ±20%, 8MHz, Abmessungen: 6.3 x 6.3 x 3mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 580mΩ, Resonanzfrequenz max.: 8.5MHz, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: B82462G4104M000
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
EPCOS B82462-G4 SMD Induktivität, 100 μH 530mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern 6.3mm / ±20%, 8MHz
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Specifications of EPCOS B82462-G4 SMD Induktivität, 100 μH 530mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern 6.3mm / ±20%, 8MHz | |
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