Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 29 A 69,5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 29 A 69,5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 29 A 69,5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V, MPN: SIR632DP-T1-RE3
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 29 A 69,5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 29 A 69,5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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