Texas Instruments Gate-Ansteuerungsmodul PWM 1 A 0 → 11V 8-Pin WSON 20ns

Name: Texas Instruments - Texas Instruments Gate-Ansteuerungsmodul PWM 1 A 0 → 11V 8-Pin WSON 20ns, MPN: DRV8837CDSGT
Brand: Texas Instruments
SKU: ABDT-5538
Price: 14.28 EUR
Availability: InStock

About The Texas Instruments Gate-Ansteuerungsmodul PWM 1 A 0 → 11V 8-Pin WSON 20ns, MPN: DRV8837CDSGT

Texas Instruments Gate-Ansteuerungsmodul PWM 1 A 0 → 11V 8-Pin WSON 20ns, MPN: DRV8837CDSGT

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Gate-Treiber

Kingbright SMD LED Gelb 2,5 V, 140°, 3-Pin SOT-23, Lichtstärke: 8 mcd, Linsenform: Rechteck, Wellenlänge typ.: 588 nm, Abmessungen: 3 x 1.3 x 0.95mm, Linsenfarbe: Klar, MPN: KM-23YC-F

PULSAR LFE907 Warnschutzhose, Überziehhose Orange, Größe 51 → 53Zoll x 33Zoll, Materialeigenschaften: Reflektierend, wasserdicht, winddicht, Better World-Kriterium: Recycelte Materialien, Better World-Produkt: Ja, MPN: LFE907T-6XL

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Gate-Treiber

Specifications of Texas Instruments Gate-Ansteuerungsmodul PWM 1 A 0 → 11V 8-Pin WSON 20ns
Category
Instock	instock

Last Updated December 30th, 2024 04:05 pm

Texas Instruments Gate-Ansteuerungsmodul PWM 1 A 0 → 11V 8-Pin WSON 20ns

More Varieties

Rating :- 9.53 /10

Votes :- 41

ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 3.0MΩ ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPJ305

ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 3.0MΩ ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse.

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 800 V / 37 A 780 W, 4-Pin SOT-227, Montage-Typ: Schraubmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 38.23mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFN44N80Q3

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 800 V / 37 A 780 W, 4-Pin SOT-227.

Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Einfach 6.5V 4.5V min., 2-Pin, SMD X1SON, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 36W, MPN: ESD351DPYR

5V 4.Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Einfach 6., 2-Pin, SMD X1SON.5V min.

Texas Instruments LVDS Parallel-Serien Umsetzer/Deserializer Quad LVCMOS LVDS, 3.36Gbit/s 4 Elem./Chip, WQFN 48-Pin, Interface: Serialisierer/Deserialisierer-IC, MPN: DS90UB924TRHSTQ1

Texas Instruments LVDS Parallel-Serien Umsetzer/Deserializer Quad LVCMOS LVDS, 3./Chip, WQFN 48-Pin.36Gbit/s 4 Elem.

Texas Instruments LVDS Parallel-Serien Umsetzer/Deserializer Quad LVCMOS LVDS, 3.36Gbit/s 4 Elem./Chip, WQFN 48-Pin, Interface: Serialisierer/Deserialisierer-IC, MPN: DS90UB924TRHSTQ1

/Chip, WQFN 48-Pin.36Gbit/s 4 Elem.Texas Instruments LVDS Parallel-Serien Umsetzer/Deserializer Quad LVCMOS LVDS, 3.

Texas Instruments Gate-Ansteuerungsmodul PWM 1 A 0 → 11V 8-Pin WSON 20ns

About The Texas Instruments Gate-Ansteuerungsmodul PWM 1 A 0 → 11V 8-Pin WSON 20ns, MPN: DRV8837CDSGT

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Gate-Treiber

Specifications of Texas Instruments Gate-Ansteuerungsmodul PWM 1 A 0 → 11V 8-Pin WSON 20ns

ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 3.0MΩ ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPJ305

Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Einfach 6.5V 4.5V min., 2-Pin, SMD X1SON, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 36W, MPN: ESD351DPYR

Texas Instruments LVDS Parallel-Serien Umsetzer/Deserializer Quad LVCMOS LVDS, 3.36Gbit/s 4 Elem./Chip, WQFN 48-Pin, Interface: Serialisierer/Deserialisierer-IC, MPN: DS90UB924TRHSTQ1

Texas Instruments LVDS Parallel-Serien Umsetzer/Deserializer Quad LVCMOS LVDS, 3.36Gbit/s 4 Elem./Chip, WQFN 48-Pin, Interface: Serialisierer/Deserialisierer-IC, MPN: DS90UB924TRHSTQ1