Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 1,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, MPN: IPB017N06N3 G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7
Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |