STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 900 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 6.6mm, MPN: STU7NM60N
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |