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JST FWE Aderendhülsen Bis 35mm², Stift ø 8.3mm, Rot, PP, 16mm, 30mm, Isoliert, 2AWG Max.

About The JST FWE Aderendhülsen bis 35mm², Stift ø 8., MPN: FWE35-16

JST FWE Aderendhülsen bis 35mm², Stift ø 8.3mm, Rot, PP, 16mm, 30mm, Isoliert, 2AWG max., MPN: FWE35-16

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > Drahtanschlussklemmen & Spleiße > Aderendhülsen

JST FWE Aderendhülsen Bis 35mm², Stift ø 8.3mm, Rot, PP, 16mm, 30mm, Isoliert, 2AWG Max.

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Specifications of JST FWE Aderendhülsen Bis 35mm², Stift ø 8.3mm, Rot, PP, 16mm, 30mm, Isoliert, 2AWG Max.

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JST FWE Aderendhülsen Bis 35mm², Stift ø 8.3mm, Rot, PP, 16mm, 30mm, Isoliert, 2AWG Max.
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RS PRO zylindrisch Optischer Sensor, Hintergrundunterdrückung, Bereich 1 mm → 140 mm, PNP Ausgang, Anschlusskabel, Erfassungsbereich: 1 mm → 140 mm, Anschluss: 4-adriges Kabel, 2 m, Gleichspannung max.: 30V, Lichtquelle: LED, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 100 mA, Reaktionszeit:
    • RS PRO zylindrisch Optischer Sensor, Hintergrundunterdrückung, Bereich 1 mm → 140 mm, PNP Ausgang, 4-poliger, Erfassungsbereich: 1 mm → 140 mm, Anschluss: 4-poliger M12-Steckverbinder, Gleichspannung max.: 30V, Lichtquelle: LED, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 100 mA, Reaktionszeit:
    • RS PRO zylindrisch Optischer Sensor, Reflektierend, Bereich 50 mm → 7 m, NPN Ausgang, 4-poliger, Anschluss: 4-poliger M12-Steckverbinder, Gleichspannung max.: 30V, Lichtquelle: LED, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 100 mA, Reaktionszeit:
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 210 A 3,8 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 20.3mm, MPN: IRFP3703PBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 210 A 3,8 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 20.3mm, MPN: IRFP3703PBF