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Onsemi MUN5313DW1T1G SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 MA, SOT-363 6-Pin

About The : 80, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Automobilstandard: AEC-Q101, Abmessungen: 2.: 100 mA (durchgehend), Verlustleistung max

onsemi MUN5313DW1T1G SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SOT-363 6-Pin, Transistor-Typ: NPN, PNP, DC Kollektorstrom max.: 100 mA (durchgehend), Verlustleistung max.: 385 mW, Gleichstromverstärkung min.: 80, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Automobilstandard: AEC-Q101, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm, Länge: 2.2mm, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 0,25 V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Onsemi MUN5313DW1T1G SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 MA, SOT-363 6-Pin

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Specifications of Onsemi MUN5313DW1T1G SMD, NPN/PNP Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 MA, SOT-363 6-Pin

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