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Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 117 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max

Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 117 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRF9540NPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220AB

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    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRFZ24NPBF
    • Orn Albatross Classic Fleece Unisex Fleece-Jacke Schwarz, Größe L, Kleidungsart: Fleecejacke, Futterstoff: Polyester, MPN: 3200-30/B/L
    • Sylvania LED-Leuchtröhre, 4,5 W, Tageslicht 6500K, GU10-Sockel, EU-Energieeffizienzklasse: F, dimmbar: Ja, EU Energy Label Status: Compliant, Serie: RefLED Retro Superia ES50 DIMMABLE, MPN: 29130
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    ABB S200M Leitungsschutzschalter Typ K, Pol 3 500mA 400V, Abschaltvermögen 15 kA System Pro M Compact, DC-Nennspannung: 125V, MPN: 354375

    ABB S200M Leitungsschutzschalter Typ K, Pol 3 500mA 400V, Abschaltvermögen 15 kA System Pro M Compact.

    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 36 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.9mm, MPN: IRFP150NPBF
    • Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 117 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRF9540NPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 36 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.9mm, MPN: IRFP150NPBF
    • Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 117 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRF9540NPBF