onsemi FCH023N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 15.87mm, MPN: FCH023N65S3-F155
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FCH023N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247
Specifications of Onsemi FCH023N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |