Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 5,2 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223
About The : 45 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 5,2 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 5,2 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 45 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.7mm, MPN: IRFL4105TRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 5,2 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 5,2 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223 | |
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