Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 5.49mm, MPN: BSC030N08NS5ATMA1
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Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON | |
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