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Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4, Gehäusegröße: TO-247 A04, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: FCH023N65S3L4

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4

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Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4
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WIKA A2G-40 Differenzial Druckschalter, 5mbar → 45 mbar, MPN: 43699448

WIKA A2G-40 Differenzial Druckschalter, 5mbar → 45 mbar, MPN: 43699448

WIKA A2G-40 Differenzial Druckschalter, 5mbar → 45 mbar.

    • Taoglas GPS Multiband-Antenne, Intern, 1,57 → 1,61 GHz, Vierkant, U.FL, 3dBi, 60mm, Montageart Antenne: SMD, Serie: ADFGP, Distrelec Product Id: 30220204, MPN: ADFGP.25A.07.0060A
    • Elesa Matt Schwarz Stahl Griff, L 89.5mm H 54 mm B 23mm, MPN: ERX.78-p M10x40-C1 Black
    • Altech ENCLOSURE,POLYSTYRENE,TRANSPRNT HINGED COVER,,IP66,NEMA4X,2.56SQ.X2.24, MPN: 111-001

    Altech ENCLOSURE,POLYSTYRENE,TRANSPRNT HINGED COVER,,IP66,NEMA4X,2.56SQ.X2.24, MPN: 111-001

    X2.Altech ENCLOSURE,POLYSTYRENE,TRANSPRNT HINGED COVER,,IP66,NEMA4X,2.56SQ.24.

    • Tufvassons Transformator Baustellentransformator, Primär 230V / Sekundär 115V, 1500VA, 13A, Distrelec Product Id: 15627054, MPN: AFM1500 230/115V
    • STMicroelectronics PFC-Controller Quelle -1.1A max. Sink 1.3A 20 mA

    STMicroelectronics PFC-Controller Quelle -1.1A max. Sink 1.3A 20 mA

    3A 20 mA, Interface: LLC-Resonanzcontroller-IC, MPN: STNRG011ATR.1A max. Sink 1.STMicroelectronics PFC-Controller Quelle -1.

    • onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4, Gehäusegröße: TO-247 A04, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: FCH023N65S3L4
    • onsemi SMD SiC-Schottky Diode je 1 Paar gemeinsame Anode / Kathode, 650V / 8A, 5-Pin PQFN 8X8, MPN: FFSM0865B

    onsemi SMD SiC-Schottky Diode je 1 Paar gemeinsame Anode / Kathode, 650V / 8A, 5-Pin PQFN 8X8, MPN: FFSM0865B

    onsemi SMD SiC-Schottky Diode je 1 Paar gemeinsame Anode / Kathode, 650V / 8A, 5-Pin PQFN 8X8.

    • onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4, Gehäusegröße: TO-247 A04, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: FCH023N65S3L4
    • onsemi SMD SiC-Schottky Diode je 1 Paar gemeinsame Anode / Kathode, 650V / 8A, 5-Pin PQFN 8X8, MPN: FFSM0865B

    onsemi SMD SiC-Schottky Diode je 1 Paar gemeinsame Anode / Kathode, 650V / 8A, 5-Pin PQFN 8X8, MPN: FFSM0865B

    onsemi SMD SiC-Schottky Diode je 1 Paar gemeinsame Anode / Kathode, 650V / 8A, 5-Pin PQFN 8X8.