onsemi MJD32CT4G SMD, PNP Transistor –100 V / –3 A 3 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.: 1,56 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi MJD32CT4G SMD, PNP Transistor –100 V / –3 A 3 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
Specifications of Onsemi MJD32CT4G SMD, PNP Transistor –100 V / –3 A 3 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin | |
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