STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.6mm, MPN: STD25N10F7
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STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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