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Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 100 A 2,5 KW, 3-Pin TO-264

About The onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 100 A 2,5 kW, 3-Pin TO-264, Drain-Source-Widerstand max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 100 A 2,5 kW, 3-Pin TO-264, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 20mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDL100N50F

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 100 A 2,5 KW, 3-Pin TO-264

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Specifications of Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 100 A 2,5 KW, 3-Pin TO-264

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Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 100 A 2,5 KW, 3-Pin TO-264
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Samtec CLE Leiterplattenbuchse Vertikal 40-polig / 2-reihig, Raster 0.8mm, Typ: Platine-Platine, Montagetyp: SMD, Anschlussart: Löten, MPN: CLE-120-01-G-DV-A
    • Keystone PCB Durchkontaktierung Rollösen breit, Ø 3.2mm x 4mm, Typ: Breite Rollöse, Für Lochgröße: 3.1mm, MPN: 45
    • Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 125 V DC-Spule, 3 -polig, 690 V / 40 A 11 kW 1 Schließer + 1 Öffner, MPN: 3RT2026-2BG40

    Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 125 V DC-Spule, 3 -polig, 690 V / 40 A 11 kW 1 Schließer + 1 Öffner, MPN: 3RT2026-2BG40

    Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 125 V DC-Spule, 3 -polig, 690 V / 40 A 11 kW 1 Schließer + 1 Öffner.

    • BETA Universeller Einsatz Werkzeugsatz 2-teilig, Satz Inhalt: Selbstverriegelende Zange, Gleitgelenkzange, VDE 1000V zugelassen: Nein, MPN: T153
    • Molex Nano-Change M8 Rundsteckverbinder Stecker 3-polig / 3.0A Kabelmontage, IDC-Anschluss IP65, IP67, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 60.0 V, Verbindungstyp: Gewinde, Gehäusematerial: Polymer, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, MPN: 120091-0028
    • Samtec FTMH Stiftleiste Vertikal, 14-polig / 2-reihig, Raster 1.0mm, Nicht ummantelt, MPN: FTMH-107-03-L-DV
    • onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 100 A 2,5 kW, 3-Pin TO-264, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 20mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDL100N50F
    • Samtec FSH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 1.27mm, Ummantelt, MPN: FSH-105-04-L-RA

    Samtec FSH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 1.27mm, Ummantelt, MPN: FSH-105-04-L-RA

    Samtec FSH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 1.27mm, Ummantelt.

    • onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 100 A 2,5 kW, 3-Pin TO-264, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 20mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDL100N50F
    • Samtec FSH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 1.27mm, Ummantelt, MPN: FSH-105-04-L-RA

    Samtec FSH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 1.27mm, Ummantelt, MPN: FSH-105-04-L-RA

    27mm, Ummantelt.Samtec FSH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 1.