Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: AUIRFR5410TRL
Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,205 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: AUIRFR5410TRL
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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