Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2,5 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.02mm, Länge: 3.04mm, MPN: Si2338DS-T1-GE3
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2,5 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2,5 W, 3-Pin SOT-23 | |
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