Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFI630GPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
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Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP | |
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