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Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3

About The Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3, MPN: BSO220N03MDGXUMA1

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3, MPN: BSO220N03MDGXUMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3

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Specifications of Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3

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Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3
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RND 155300 Aluminium Festwert Drahtwiderstand 470mΩ ±5% / 300W, Distrelec Product Id: 30085341, MPN: RND 155300 R47 J
    • onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 2,3 W, 6-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.75mm, Länge: 2mm, MPN: NTLJD4116NT1G
    • Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm, MPN: 2175111124

    Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm, MPN: 2175111124

    Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm.

    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTR2101PT1G
    • TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 36.5Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Betriebstemperatur min.: -65°C, MPN: YR1B36R5CC
    • RND 155300 Aluminium Festwert Drahtwiderstand 1.5Ω ±1% / 300W, Distrelec Product Id: 30085194, MPN: RND 155300 1R5 F
    • Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3, MPN: BSO220N03MDGXUMA1

    Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3, MPN: BSO220N03MDGXUMA1

    Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3.

    • EPCOS B78148S Drosselspule, Ferrit-Kern, 330 μH, ±5%, 190mA, Axial / R-DC 6.4Ω, max. 2.7MHz, Ø 4mm

    EPCOS B78148S Drosselspule, Ferrit-Kern, 330 μH, ±5%, 190mA, Axial / R-DC 6.4Ω, max. 2.7MHz, Ø 4mm

    EPCOS B78148S Drosselspule, Ferrit-Kern, 330 μH, ±5%, 190mA, Axial / R-DC 6.2mm, Abmessungen: 4 (Dia.: -55°C, MPN: B78148S1334J000.

    • Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3, MPN: BSO220N03MDGXUMA1

    Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3, MPN: BSO220N03MDGXUMA1

    Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,7 A PG-TO252-3.

    • EPCOS B78148S Drosselspule, Ferrit-Kern, 330 μH, ±5%, 190mA, Axial / R-DC 6.4Ω, max. 2.7MHz, Ø 4mm

    EPCOS B78148S Drosselspule, Ferrit-Kern, 330 μH, ±5%, 190mA, Axial / R-DC 6.4Ω, max. 2.7MHz, Ø 4mm

    2mm, Abmessungen: 4 (Dia.2mm, Anschlussraster: 5mm, Anschlussdurchmesser: 0.EPCOS B78148S Drosselspule, Ferrit-Kern, 330 μH, ±5%, 190mA, Axial / R-DC 6.