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Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 MW, 3-Pin SOT-23

About The : –8 V, +8 V, Länge: 3.: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTR2101PT1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 MW, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 MW, 3-Pin SOT-23

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Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 MW, 3-Pin SOT-23
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Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 160 A PG-TSDSON-8, MPN: IPB039N10N3GATMA1

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 160 A PG-TSDSON-8, MPN: IPB039N10N3GATMA1

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 160 A PG-TSDSON-8.

    • Hammond Enclosure; Polycarbonate; Silicon Rubber; 3.5 in.; 3.5 in.; 2.4 in.; Light Gray, MPN: 1555E2GY
    • Murata, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 100nF / 16V dc, Gehäuse 0603, Spannung: 16V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: GCJ188R71C104KA01D
    • RND 155300 Aluminium Festwert Drahtwiderstand 470mΩ ±5% / 300W, Distrelec Product Id: 30085341, MPN: RND 155300 R47 J
    • onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 2,3 W, 6-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.75mm, Länge: 2mm, MPN: NTLJD4116NT1G
    • Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm, MPN: 2175111124

    Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm, MPN: 2175111124

    Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm.

    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTR2101PT1G
    • TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 36.5Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Betriebstemperatur min.: -65°C, MPN: YR1B36R5CC
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,7 A 960 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTR2101PT1G
    • TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 36.5Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Betriebstemperatur min.: -65°C, MPN: YR1B36R5CC