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Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 2,3 W, 6-Pin WDFN

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0

onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 2,3 W, 6-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.75mm, Länge: 2mm, MPN: NTLJD4116NT1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 2,3 W, 6-Pin WDFN

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Specifications of Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 2,3 W, 6-Pin WDFN

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Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 2,3 W, 6-Pin WDFN
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RS PRO Rundsteckverbinder Buchse 12-polig / 10.0A Kabelmontage, Lötanschluss IP68, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Löten, Gehäuseausrichtung: Gerade, Verbindungstyp: Gewinde, Kontaktbeschichtung: Gold, Kontaktmaterial: Messing, Betriebstemperatur (max.): +85°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, Außendurchmesser: 13→16mm
    • BETA metrisch Innensechskant-Schlüssel 2mm L-Form kurz, Produkttyp: Sechskantschlüssel, Stückzahl: 1, Spitzentyp: Sechskant Kugelkopf, MPN: 96BPA 2
    • Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 160 A PG-TSDSON-8, MPN: IPB039N10N3GATMA1

    Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 160 A PG-TSDSON-8, MPN: IPB039N10N3GATMA1

    Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 160 A PG-TSDSON-8.

    • Hammond Enclosure; Polycarbonate; Silicon Rubber; 3.5 in.; 3.5 in.; 2.4 in.; Light Gray, MPN: 1555E2GY
    • Murata, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 100nF / 16V dc, Gehäuse 0603, Spannung: 16V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: GCJ188R71C104KA01D
    • RND 155300 Aluminium Festwert Drahtwiderstand 470mΩ ±5% / 300W, Distrelec Product Id: 30085341, MPN: RND 155300 R47 J
    • onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 2,3 W, 6-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.75mm, Länge: 2mm, MPN: NTLJD4116NT1G
    • Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm, MPN: 2175111124

    Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm, MPN: 2175111124

    Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm.

    • onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 2,3 W, 6-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.75mm, Länge: 2mm, MPN: NTLJD4116NT1G
    • Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm, MPN: 2175111124

    Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm, MPN: 2175111124

    Molex LINK250 Vorkonfektionierte Litze 22AWG, 300mm.