Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 260 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0019 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IAUT260N10S5N019ATMA1
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Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 260 A, 8-Pin HSOF-8
Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 260 A, 8-Pin HSOF-8 | |
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