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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

About The : +150 °C, MPN: IRF840LCPBF.: -30 V, +30 V, Länge: 10

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 850 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRF840LCPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
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Vishay, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G (NP0), 18pF ±1% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), MPN: VJ0603A180FXACW1BC

Vishay, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G (NP0), 18pF ±1% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), MPN: VJ0603A180FXACW1BC

Vishay, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G (NP0), 18pF ±1% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M).

    • Panasonic ERJ Dickschicht SMD-Widerstand 332Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJ6ENF3320V
    • Vishay THT Diode, 200V / 60A, 3-Pin TO-247AC, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Recovery Gleichrichter, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.08V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 35ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 800A, MPN: VS-60APU02-N3
    • Panasonic FR-A, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 820μF ±20% / 6.3V dc, Ø 8mm, bis 105°C, Kapazität: 820µF, Spannung: 6.3V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 8.0 x 11.5mm, Betriebstemperatur max.: +105°C, Polarisiert: Polar, MPN: EEUFR0J821B
    • SMC C55 Pneumatik-Kompaktzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 50mm / Hub 25mm, bis 1 MPa, Ausführung: Zweifach, Länge: 78mm, Endlagendämpfung: Gummi, Abmessungen: 78 x 64 x 64mm, Absoluter Druck (max.): 1.5MPa, Betriebstemperatur (max.): +70°C, Betriebstemperatur (min.): -10°C, Gewicht: 644g, MPN: CD55B50-25M
    • TE Connectivity UPF25 Metallschicht Widerstand 10Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +125°C, Temperaturkoeffizient: ±5ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: UPF25B10RV
    • RS PRO Kubisch Optischer Sensor, Diffuse Reflexion, Bereich 1 m, PNP NONC Ausgang, Anschlusskabel, Hell-/dunkelschaltend, Anschluss: 2 m Kabel, Gleichspannung max.: 30V, Anschlusstyp: Kabel 2 m, Lichtquelle: Infrarot LED, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 200 mA, Reaktionszeit: ≤1 ms, Gehäusematerial: PC+ABS;Filter: PMMA, Betriebstemperatur max.: +55°C, Betriebstemperatur min.: -25°C
    • Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 850 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRF840LCPBF
    • RS PRO Kubisch Optischer Sensor, Diffuse Reflexion, Bereich 1 m, PNP NONC Ausgang, Anschlusskabel, Hell-/dunkelschaltend, Anschluss: 2 m Kabel, Gleichspannung max.: 30V, Anschlusstyp: Kabel 2 m, Lichtquelle: Infrarot LED, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 200 mA, Reaktionszeit: ≤1 ms, Gehäusematerial: PC+ABS;Filter: PMMA, Betriebstemperatur max.: +55°C, Betriebstemperatur min.: -25°C
    • Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 850 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRF840LCPBF