Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 100 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0068 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPP100N08S2L07AKSA1
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 100 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 100 A, 3-Pin TO-220 | |
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