Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Onsemi, Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand Max.: 7 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur Max.: +175 °C, MPN: FDB035AN06A0
Brand: onsemi
SKU: ABDT-72485
Price: 6.08 EUR
Availability: InStock

About The 67mm, Betriebstemperatur max.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: FDB035AN06A0

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

SMC Serie ZFC 8 Dia. mm Vakuumfilter 5μm 1 MPa

ebm-papst 600 N DC-Axiallüfter, Gleitlager, 24 V dc / 1.2W, 60 x 60 x 25mm, 3000U/min, 25m³/h, Höhe: 60mm, Tiefe: 25.4mm, Strom max.: 50mA, Geräuschpegel: 19dB, Distrelec Product Id: 30097169, MPN: 614NGML

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Specifications of Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Last Updated January 22nd, 2025 01:20 am

Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

More Varieties

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ROHM RPI SMD Fototransistor IR 10μs / 10000μA, 4-Pin, MPN: RPI-0451E

ROHM RPI SMD Fototransistor IR 10μs / 10000μA, 4-Pin.

RS PRO DIL-Sockel, 40-Pin Durchsteck Gedreht, Raster 2.54mm, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 3A, Ausrichtung: Vertikal

54mm.

LAG Dreher Lenkrolle, Rad ø 100mm, 75kg, Ges H.

128mm, Rad B.

RS PRO DIL-Sockel, 22-Pin Durchsteck Gedreht, Raster 2.54mm, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 3A, Ausrichtung: Vertikal

54mm.RS PRO DIL-Sockel, 22-Pin Durchsteck Gedreht, Raster 2.

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRFR7440TRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252).

ebm-papst 600 N DC-Axiallüfter, Gleitlager, 24 V dc / 1.2W, 60 x 60 x 25mm, 3000U/min, 25m³/h, Höhe: 60mm, Tiefe: 25.4mm, Strom max.: 50mA, Geräuschpegel: 19dB, Distrelec Product Id: 30097169, MPN: 614NGML

2W, 60 x 60 x 25mm, 3000U/min, 25m³/h.ebm-papst 600 N DC-Axiallüfter, Gleitlager, 24 V dc / 1.