Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRFR7440TRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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